VCE ve IC Değişim Sınırlarının Belirlenmesi:
Şekil 6.15 (a) 'dan takip edilirse şöyle iki
deney yapmak mümkündür.
a) VCE 'nin sınır değerinin belirlenmesi:
P potansiyometresi en sağa (0 konumuna) alındığında:
Transistöre hiç bir gerilim uygulanmayacaktır.
Yani, VBE = 0, IB = 0 'dır.
Bu durumunda çıkış akımıda: IC =
0 olur.
IC = 0 iken, RL direnci
üzerinden herangi bir gerilim düşümü olmayacağından; VCE
= VCC olur.
Diğer bir ifadeyle:
VCE = VCC - IC
* RL bağıntısında, IC = 0 konulursa;
VCE = VCC olur.
b) IC 'nin sınır değerinin belirlenmesi
ve Transistörün Doyması
P potansiyometresi, VBE gerilimini
ve dolayısıyla da IB ve IC akımını büyültecek
şekilde sola doğru kaydırılsın;
IB büyüdükçe IC akımı
büyüyecek, dolayısıyla da RL direnci üzerindeki
gerilim düşümü artacaktır. Belirli bir IC kollektör
akımına ulaşınca: IC * RL = VCC
olur.
Bu durumda, VCE = 0 olur. (Gerçekte,
VCE tam "0" olmaz. Bkz. Şekil 6.16)
Bu evreden sonra, IB büyütülmeye
devam edilirse de, artık IC daha fazla büyümez,
ve ICm gibi bir maksimum değerde kalır.
Olayı tanımlamak için, "Transistör doydu"
denir.
Bu andaki ICm kollektör akımına da ICd
doyma akımı denir.
Not:
1. Şekil 6.16 'da, transistörün kısa devre
çalışmadaki "VCE, IC" karakteristik
eğrileri, yük doğrusu ve Q çalışma noktası gösterimiştir.
Şekilde de görüldüğü gibi, transistör kısa devre çalışırken:
VCE geriliminin, IC akımına dikkate
alınabilecek etkisi olmamaktadır.
IC akımı yalnızca, IC
=β IB bağıntısı ile IB
'ye bağlı olmaktadır.
Ancak, VCC ve IC 'nin, transistör kataloğunda
verilen, VCmak ve ICmak limit değerini
geçmemsi gerekir.
RL yük direnci bağlandığında ise:
ICd = ICm = VCC
/ RL olmakta ve bu değerden sonra IB
'nin etkisi bulunmamaktadır.
Görüldüğü gibi, burada, VCC ve RL 'nin
seçimi büyük önem taşımaktadır.
VCC ve RL öyle seçilmelidir ki, ICm
= VCC / RL değeri transistör firmasınca
verilen, kollektör akımı limitini (ICmax) geçmemelidir.
Geçerse, transistör ısınarak tahrip olur.
2. Gerek Şekil 6.15(b) 'de, gereksede Şekil
6.16 'da da görüldüğü gibi doyma anında VCE gerilimi,
gerçekte tam olarak 0 olmaz. "VCEd" gibi
çok küçük bir değere sahiptir. Bu anda, VCEd =
VBE olur.
3. Şekil 6.16 'dan takip edilirse:
VCEd noktasından çıkılan dik, IB
= 240 µA eğrisini, tam dönüm noktası olan B noktasında
kesmektedir . Bu da transistörün IB = 240 µA
de doyma haline geldiğini göstermektedir .
B noktasma ait IC akimi "ICd"
doyma akımı olmaktadır.
Pratik hayatta : VCEd = 0 Kabul edilir . B noktası
da, IC ekseni üzerindeymiş gibi düşünülür ve ICd
= ICm olarak alınır .
Sonuç olarak, DOYMA halinde çıkış devresi
bağıntısı şöyle olacaktır:
VCE = 0 = VCC - ICd.RL
veya 0 = VCC - ICm.RL buradan.
ICm = ICd = VCC / RL
olur..

Şekil 6.16- Yük doğrusu, Q çılışma noktası ve PCm maksimum
güç eğrisi |
Yük Doğrusunun Çizimi
Yukandaki hesaplamalardan iki önemli sonuç
çıkmaktadır:
Şekil 6.16'daki gibi, çıkışında bir RL yük direnci
bulunan yükselteçte ;
1- Çalışmazken, yani IC = 0 iken, VCE
= VCC olmaktadır.
2- Doyma da yani, VCE = 0 iken ICm =ICd
=VCC / RL olmaktadır .
Şekil 6.16' da da görüldğüğ gibi , VCC noktası
ile ICm noktasını birleştiren doğruya Yük Doğrusu
denmektedir.
Giriş beyz akımı (IB) değiştirildikçe, buna bağlı
olarak çıkış kollektör akımı (IC) ve Kollektör
- Emiter gerilimi (VCE) yük doğrusu üzerinde kalacak
şekilde değişir.
Yukarıdaki bağıntılardan:1 / RL = ICm
/ VCC yük doğrusunun eğimidir.
Çıkış değerlerinin hesaplanmasında yük doğrusu önemli rol
oynamaktadır.
Örnek:
Bir transistörün kataloğunda yük doğrusu verilmiş ise, RL
yük direncini bulmak mümkündür.
Şekil 6.17'de görüldüğü gibi, yük doğrusu, IC eksenini,
ICm = 8 mA noktasında VCE eksenini de
VCC = 15 V noktasında kesmiştir
ICm = 8 mA = 0,008 A noktasında VCE
= 0 olduğuna göre:
Bağıntısında gerekli değerler yerlerine konursa: 0 = 15 -
0,008 . RL 'den
RL = 15 / 0.008 = 1875 Ohm olarak bulunur.