Temel Elektronik
Ana Sayfa Yap  Favorilerine Ekle  E-Mail Gönder  Bu Sayfayı Yazdır
Ana Sayfa
Temel Elektronik
Pasif Devre Elemanları
Renk Kodları
Yarı İletkenler
Diyotlar
Transistörler
NPN ve PNP Tipi Transistörler
Yükseltme İşleminin Gerçekleştirilmesi
Transistörün Dört Bölge Karakteristiği
Transistörlerin Anahtarlama Elemanı Olarak Çalıştırılması
Yükselteç Olarak Çalıştırılması
Çalışma Kararlılığını Etkileyen Faktörler
Çalışma Noktasının Stabilize Edilmesi
Transistörlerin Katalog Bilgileri
Güçkaynakları
Transistörlü Yükselteçler
Mikrofonlar
Hoparlörler
Fototransistör ve Fotodiyotlar
Led
Fet
Mosfet
Diferansiyel (Fark) Yükselteci
OP-AMP
Pals Devreleri
RC Osilatörler
LC Osilatörler
Kristal Osilatörler
Multivibratörler
Modülasyon
Silikon Anahtarlar
Thyristör
Dijital Elektronik
 
Yazılım
Takım Çantası
Linkler
Site Haritası
e-mail: silisyum@silisyum.net

Transistörün Dört Bölge Karakteristiği

Dört bölge karakteristiklerinde, DC 'de ve yüksüz olarak çalıştırılan transistörün giriş ve çıkış akımları ile gerilimleri arasındaki bağıntılara ait karakteristik eğrileri hep birlikte görüntülenir.

Dört bölge karakteristik eğrilerinden yararlanılarak şu statik karakteristik değerleri hesaplanabilmektedir.

1. Giriş direnci
2. Çıkışdirenci
3. Akım kazancı
4. Giriş-çıkış gerilim (zıt reaksiyon) bağıntısı

Bunlar transistörün yapısıyla ilgili karakteristik değerlerdir.

Dört bölge karakteristiği, transistör çıkışında yük direnci yokken çıkarıldığından bunlara kısa devre karakteristikleri de denir.

Transistörün "Beyz" 'i , "Emiteri" ve "Collectoru" ortak bağlantılı haldeki kısa devre karakteristikleri ile, yükte çalışma sırasında konu edilen yük doğrusu ayrıca "Temel yükselteç devreleri" bölümünde daha detaylı anlatılmıştır.
Burada, ön bilgi olarak, emiteri ortak yükselteçe ait örnek verilecektir..

Dört Bölge Karakteristik Eğrisinin Bölgeleri:

Şekil 4.11 'den takip edilirse; Şekil 4.9 'da verilmiş olan emiteri ortak yükseltece ait dört bölge karakteristik eğrisi, şu bölgelerden oluşmaktadır.

1. Bölge Karakteristik Eğrisi (VCE - IC):
VCE çıkış gerilimindeki değişime göre, IC çıkış akımındaki değişimi gösterir.
RC=VCE/IC bağıntısı ile Çıkış direncini belirler.
2. Bölge Karakteristik Eğrisi (IB - IC):
IB giriş akımındaki değişime göre, IC çıkış akımındaki değişimi gösterir.
β=IC/IB bağıntısı ile Akım kazancını belirler.
3. Bölge Karakteristik Eğrisi (VBE - IB):
VBE giriş gerilimindeki değişime göre, IB giriş akımındaki değişimi gösterir.
Rg=VBE/IB bağıntısı ile Giriş direncini belirler.
4. Bölge Karakteristik Eğrisi (VBE- VCE):
"VBE - VCE" bağıntısı VBE giriş gerilimindeki değişime göre, VCE çıkış gerilimindeki değişim miktarını gösterir. Bu değişim, gerilim transfer oranı olarak tanımlanır.

Aslında bu iki gerilimin biri biri üzerinde önemli bir etkisi bulunmamaktadır.
Bu bilgiler daha çok teorik çalışmalar için gereklidir


Şekil 4.11 - Emiteri ortak bağlantılı yükseltecin dört bölge karakterisitiği