JFET parametrelerinde anlatılan, drain-source doyma akımı (I_DSS), gate-source kapama gerilimi (V_P), geçiş iletkenliği (gm), drain-source iletim direnci (rds) parametreleri Mosfet 'lerde de geçerlidir.
Drain akımını veren formüller;

I_D = I_DSS [1-(V_GS/V_P)²]. ve . I_D = k (V_GS-V_T)² 'dir.

JFET 'lerde olduğu gibi, Mosfet 'lerde geçiş iletkenliği:

gm = 2 k (V_GS-V_T) bağıntısıyla bulunabilir.