Silisyum.net
..

MOSFET 'in Karakteristiği

a) Azalan (Boşluk şarjlı, depletion) Tip Mosfet:

Şekil 1.17(a) - n - kanallı Azalan Tip MOSFET Devre Bağlantısı

Şekil 1.17(b) - p - kanallı Azalan Tip MOSFET Devre Bağlantısı

Şekil 1.18(a) - Azalan Tip MOSFET 'in ID-VDS Statik Karakteristik Eğrisi (n - kanallı)

Şekil 1.18(b) - Azalan Tip MOSFET 'in Transfer Karakteristiği (n - kanallı)

Şekil 1.17 'de azalan tip Mosfet 'lerin devre bağlantıları gösterilmiştir. Bu bağlantıların farkı, devredeki güç kaynaklarının kutuplarıdır.

Şekil 1.18 (a) 'da ise drain karakteristiği, (b) 'de ise transfer karakteristiği gösterilmiştir. ID-VDS (drain) karakteristiğinde, hem pozitif, hem de negatif gate-source (VGS) gerilimi ile çalıştırılmıştır. VGS 'nin negatif değeri arttırıldığı taktirde, belli bir gerilimde artık drain akımı akmaz. Bu gerilime, kapama-kısma-kritik gerilim denir.

Şekil 1.18 (a) 'da nokta nokta olarak çizilen k eğrisine kadar, herbir eğri VP (pinch-off) gerilimine ulaşıncaya kadar drain akımı da artar. Bu değerden sonra, gerilim artışına rağmen akım sabittir.

Transfer karakteristiğinde gösterilen ID = IDSS [1-(VGS/VP)2]
formülü Mosfet 'lerde de geçerlidir.


Şekil 1.19(a) - p - kanallı Azalan Tip MOSFET 'in Drain KArakteristiği

Şekil 1.19(b) - p - kanallı Azalan Tip MOSFET 'in Transfer Karakteristiği

Şekil 1.19 (a) ve (b) 'de p-kanallı azalan tip Mosfet 'in drain karakteristiği (ID-VDS) ile transfer karakteristiği gösterilmiştir.

b) Çağalan (Enhancement) Tip Mosfet:


Şekil 1.20(a)(b) - Çoğalan Tip MOSFET 'lerin Devre Bağlantıları


Şekil 1.21(a) - n - kanallı Çoğalan Tip MOSFET 'in Drain Karakteristiği

Şekil 1.21(b) - n - kanallı Çoğalan Tip MOSFET 'in Transfer Karakteristiği

Bu tip Mosfet 'lerde kapı-kaynak gerilimi VT eşik gerilim değerini aşıncaya kadar drain akımı akmaz. Bu eşik gerilim değerini aşan pozitif gerilimler, artan bir drain akımına yol açacaktır. Transfer karakteristiğinin denklemi,

ID = k (VGS-VT)2

Bu denklemde k değeri, elemanın yapısına ilişkin bir değer olup tipik olarak 0,3 mA/V2 değerindedir. VGS = 0 Volt durumunda hiç drain akımı akmayacağından IDSS değeri de olmayacaktır.


Şekil 1.22(a) - p - kanallı Çoğalan Tip MOSFET 'in Drain Karakteristiği

Şekil 1.22(b) - p - kanallı Çoğalan Tip MOSFET 'in Transfer Karakteristiği

Şekil 1.22 (a) ve (b) 'de p-kanllaı çoğalan tip Mosfet 'in drain ve transfer karakteristiği gösterilmiştir. Gate ucuna uygulanan negatif gerilim azaltılması halinde drain akımı akmayacaktır. Yine diğer elemanlarda olduğu gibi, belli bir voltaj değerinden sonra, voltajın artmasına reğmen akım artmayacaktır. Bu noktaya saturasyon adı verilir. Kapı-kaynak gerilimi VT eşik gerilimi aşılınca drain akımı akar.

Çoğalan tip Mosfet 'ler daha küçük ölçülerde ve basit yapıda olmasından dolayı, entegre devreler için uygun bir elemanlardır.

Ana Sayfa
 
 
 
 
© http://www.silisyum.net