a) Azalan (Boşluk şarjlı, depletion) Tip Mosfet:
Şekil 1.14 'te taban malzeme (gövde) p-tipi madde alınmıştır.
Bu p-tipi maddenin uygun yerlerinde N tipi bölgeler oluşturulmuş
ve aralarına ince bir kanal yerleştirilmiştir. Bu yapının
üstü silikon oksit tabakası ile tamamen kaplanmıştır. Ancak
bu tabakanın havadaki sodyumdan etkilenebileceğinden bunun
üzeri ikinci tabaka olan silikon nitrat ile kapatılmıştır.
N-maddelerinden çıkartılan uçların adı; Drain ve Source
uçları, silikon tabakalarından delik açılarak metalik irtibat
sağlanmıştır. Drain ve Source uçları, N-tipi bölge ile doğrudan
irtibatlı olduğu halde Gate ucu yarıiletkenden yalıtılmış,
izole edilmiş haldedir. Burada gate ucuna uygulanan gerilim
sıfır volt olduğunda drain ve source uçları arasında belirli
bir akım akar. Çünkü, drain ve source birbiriyle irtibatlıdır.
Gate terminaline (+) gerilim uygulandığında, N-tipi maddeler
arasında mevcut olan kanal genişleyeceğinden D-S arasından
geçen akım artar. Gate terminaline (-) gerilim uygulandığında
kanal daralarak akım azalır. Şekil 1.14 'de kanal N-tipi
maddeden yapıldığı için n-kanallı azalan tip Mosfet 'tir.
Kanal p-tipi maddeden de yapılabilir.
Şekil 1.14 - Azalan Tip MOSFET 'in Yapısı |
D-S arasından geçen akım kanaldan geçer. Gate 'e uygulanan
gerilim ile kanaldan geçen akım kontrol edilir. n-kanallı
azalan tip Mosfet 'te gate ile source (-), drain (+) polaritedir.
Azalan tip Mosfet 'te gate voltajı sıfır iken drain akımı
vardır. Gate 'e uygulanan (-) voltajla kanal iletkenliği
azalmakta, kanal direnci artmakta dolayısıyla kanaldan geçen
akım azalmaktadır. Kanal iletkenliği dolayısıyla akım azaldığı
için azalan tip Mosfet olarak adlandırılır.
b) Çağalan (Enhancement) Tip Mosfet:
Çoğalan tip Mosfet 'in azalan tipten farkı iki N-tipi bölgenin
arasında kanal olmamasıdır. Burada da Source (S) ve Drain
(D) uçları, N-tipi bölgelerle doğrudan temas halinde oldukları
halde Gate (G) ucu yarıiletken malzemeden izole edilmiş
durumdadır. G ucuna herhangi bir gerilim uygulanmadığı sürece
S ve D uçları arasından bir akım akmaz. G ucunun bulunduğu
metal parça ile P-tipi gövde bir kondansatör özelliği gösterir.
Çünkü, iki iletken bir yalıtkan kondansatörü meydana getirir.
G ucuna (+) gerilim uygulandığında, kapasite özelliğinden
dolayı P-tipi gövde de iki N-maddenin yanında (-) yükler
toplanır. (Şekil 1.16).
Şekil 1.16 |
Böylece iki N-tipi madde arasında doğal olarak bir kanal
oluşur. Bu durmda akım akışı başlar. Gate 'e uygulanan (+)
gerilimin arttırılması halinde, iki N-tipi madde arasında
oluşan (-) yükler çoğalarak P-tipi gövde içerisinde oluşan
bu kanalın genişlemesine sebebiyet verir. Böylece S ve D
uçları arasında akan akım, gate 'e uygulanan gerilim ile
kontrol edilebilir. Gate ucuna gerilim uygulanmadığı sürece
S ve D arasından akım akmaz.
