Temel Elektronik
Ana Sayfa Yap  Favorilerine Ekle  E-Mail Gönder  Bu Sayfayı Yazdır

MOSFET 'in Çalışması

a) Azalan (Boşluk şarjlı, depletion) Tip Mosfet:

Şekil 1.14 'te taban malzeme (gövde) p-tipi madde alınmıştır. Bu p-tipi maddenin uygun yerlerinde N tipi bölgeler oluşturulmuş ve aralarına ince bir kanal yerleştirilmiştir. Bu yapının üstü silikon oksit tabakası ile tamamen kaplanmıştır. Ancak bu tabakanın havadaki sodyumdan etkilenebileceğinden bunun üzeri ikinci tabaka olan silikon nitrat ile kapatılmıştır. N-maddelerinden çıkartılan uçların adı; Drain ve Source uçları, silikon tabakalarından delik açılarak metalik irtibat sağlanmıştır. Drain ve Source uçları, N-tipi bölge ile doğrudan irtibatlı olduğu halde Gate ucu yarıiletkenden yalıtılmış, izole edilmiş haldedir. Burada gate ucuna uygulanan gerilim sıfır volt olduğunda drain ve source uçları arasında belirli bir akım akar. Çünkü, drain ve source birbiriyle irtibatlıdır. Gate terminaline (+) gerilim uygulandığında, N-tipi maddeler arasında mevcut olan kanal genişleyeceğinden D-S arasından geçen akım artar. Gate terminaline (-) gerilim uygulandığında kanal daralarak akım azalır. Şekil 1.14 'de kanal N-tipi maddeden yapıldığı için n-kanallı azalan tip Mosfet 'tir. Kanal p-tipi maddeden de yapılabilir.


Şekil 1.14 - Azalan Tip MOSFET 'in Yapısı

D-S arasından geçen akım kanaldan geçer. Gate 'e uygulanan gerilim ile kanaldan geçen akım kontrol edilir. n-kanallı azalan tip Mosfet 'te gate ile source (-), drain (+) polaritedir. Azalan tip Mosfet 'te gate voltajı sıfır iken drain akımı vardır. Gate 'e uygulanan (-) voltajla kanal iletkenliği azalmakta, kanal direnci artmakta dolayısıyla kanaldan geçen akım azalmaktadır. Kanal iletkenliği dolayısıyla akım azaldığı için azalan tip Mosfet olarak adlandırılır.

b) Çağalan (Enhancement) Tip Mosfet:

Çoğalan tip Mosfet 'in azalan tipten farkı iki N-tipi bölgenin arasında kanal olmamasıdır. Burada da Source (S) ve Drain (D) uçları, N-tipi bölgelerle doğrudan temas halinde oldukları halde Gate (G) ucu yarıiletken malzemeden izole edilmiş durumdadır. G ucuna herhangi bir gerilim uygulanmadığı sürece S ve D uçları arasından bir akım akmaz. G ucunun bulunduğu metal parça ile P-tipi gövde bir kondansatör özelliği gösterir. Çünkü, iki iletken bir yalıtkan kondansatörü meydana getirir. G ucuna (+) gerilim uygulandığında, kapasite özelliğinden dolayı P-tipi gövde de iki N-maddenin yanında (-) yükler toplanır. (Şekil 1.16).


Şekil 1.16
Böylece iki N-tipi madde arasında doğal olarak bir kanal oluşur. Bu durmda akım akışı başlar. Gate 'e uygulanan (+) gerilimin arttırılması halinde, iki N-tipi madde arasında oluşan (-) yükler çoğalarak P-tipi gövde içerisinde oluşan bu kanalın genişlemesine sebebiyet verir. Böylece S ve D uçları arasında akan akım, gate 'e uygulanan gerilim ile kontrol edilebilir. Gate ucuna gerilim uygulanmadığı sürece S ve D arasından akım akmaz.