JFET 'inTransfer Karakteristiği

JFET elemanının transfer karakteristiği, sabit bir drain - source gerilimi V_DS için gate -source V_GS geriliminin bir fonksiyonu olarak ID drain akımının grafiğidir.

Şekil1.7 - n-kanallı JFET 'in Transfer Karakteristiği

Şekil 1.7 'de görüldüğü gibi transfer eğride iki önemli noktada I_DSSve V_P değerleridir. Herhangi bir noktadaki I_D akımı şöyle hesaplanabilir:

I_D = I_DSS [1- ( V_GS / V_P )²

Transfer karakteristik eğrisinden görüldüğü gibi V_GS = 0 'da I_D = I_DSS ve I_D = 0 'da V_GS = V_P 'dir. V_P değerinde, I_D akımı akmadığı için JFET tamamıyla kapalıdır. Burada V_P aynı zamanda pinch-off değeridir.
Transfer karakteristik eğrisini çıkarmak için çeşitli metodlar vardır;

Şekil 1.8 'de görüldüğü gibi transfer karakteristik eğrisi, V_DS değerinin tüm eğrileri kapsadığı bir değerde olmalıdır. Yani, bu transfer eğride eğer V_DS = 6 Volt seçilirse; V_DS = 6 Volt doğrusunun kestiği tüm noktalar kritik bölgede olması gerekir. Örneğin; V_DS = 6 Volt doğrusunun V_GS = 0 Volt eğrisini kestiği noktada I_D = I_DSS = 10mA 'dir. V_DS = 6 Volt doğrusunun, V_GS = -2 Volt eğrisini kestiği noktada I_D = 6 mA 'dir. Bu noktalardan geçen parabol JFET 'in transfer karakteristik eğrisini verir.

Belirli bir JFET elemanlarının çalışmasını tanımlamak için kullanılan parametrelerden birisi I_DSS ve V_P değerleridir.

Şekil 1.9 - IDSS Değerini ölçmek için kullanılan devre

Şekil 1.10 - VP Değerini ölçmek için kullanılan devre

Şekil 1.19 'da I_DSS değerini ölçmek için kullanılan devre gösterilmiştir. Gate terminalinin source ile birleştirilerek şaseye bağlanması V_GS voltajının sıfıra ayarlanması demektir. V_DD kaynak gerilimi, ampermetrede okunun I_D 'nin yükselişi durana kadar arttırılır ve ulaşılan seviye I_DSS değeri olarak kabul edilir.

Şekil 1.10 'daki devre ise V_P değerini bulmak için kullanılan bir devredir. V_GS kaynak voltajı, I_D akımı sıfıra çok yakın olana kadar sıfırdan daha büyük negatif değerlere doğru ayarlanır. Drain akımının sıfır olmasını sağlayan minimum V_GS gerilimi aynı zamanda V_P değeridir.

Bu şekilde I_DSS ve V_P değerleriyle JFET analizlerinde kullanılmak üzere bir transfer eğrisi çizilebilir.

Bu açıklamalardan sonra n-kanallı bir JFET elemanının transfer karakteristiğini, yatay ekseni 0V 'tan V_P 'ye uzanan negatif değerleri ve dikey ekseni 0 'dan I_DSS 'ye uzanan, I_D akımını temsil eden koordinatlar ekseninde çizilebilir. Örneğin V_P = -6 Volt ve I_DSS =12 mA için bir transfer eğrisi çizelim

I_DSS = 12mA dikey eksende (V_GS = 0 Volt)
V_P = -6 Volt yatay eksende (I_D = 0 mA)

Bu değerleri I_D = I_DSS [1-(V_GS/V_P)]² denkleminde yerine koyarsak yine;

V_GS = 0 Volt için, I_D = 12 mA [1-(0/V_P)]² = 12 mA

I_D = 0 mA için, 0 = 12 mA [1-(V_GS/-6V)]² = -6 Volt

Şekil 1.11 - Koordinatlar Ekseninde IDSS ve VP Değerlerinin işaretlenmesi

I_DSS ve V_P gibi iki önemli nokta koordinatlar ekseninde işaretlendikten sonra V_GS 'nin çeşitli değerlerinde I_D akımı bulunur.

VGS = 0 Volt için	ID = 12 mA idi.
VGS = -1 Volt için	ID = 12 [1-(-1/-6)]2 =8,3 mA
VGS = -2 Volt için	ID = 12 [1-(-2/-6)]2 =5,4 mA
VGS = -3 Volt için	ID = 12 [1-(-3/-6)]2 = 3 mA
VGS = -4 Volt için	ID = 12 [1-(-4/-6)]2 = 1,32 mA
VGS = -5 Volt için	ID = 12 [1-(-5/-6)]2 = 0,36 mA
VGS = -6 Volt için	ID = 12 [1-(-6/-6)]2 = 0 mA

Şekil 1.12 - JFET 'in Transfer Karakteristik Eğrisi

Özet olarak JFET 'in transfer eğrisini çizmek için 0 ile V_P arasında iki veya üç gerilim değeri seçilerek bulunabilir. Koordinatlar ekseninde her bir V_GS değerine karşılık gelen I_D değeri işaretlendikten sonra bu noktalar birleştirilerek transfer eğrisi elde edilir. Doğal olarak V_GS 'nin sıfır ile V_P arasındaki nokta sayısı daha fazla olursa çizilecek transfer eğrisi, daha çok noktaların birleşiminden meydana geleceği için daha hassas olur.