JFET 'in Karakteristiği

Drain - Source Karakteristiği:

Bu karakeristik eğri drain akımının (I_D), drain - source gerilimine (V_DS) göre bir grafiği olduğundan, drain karakteristiği adınıda almaktadır.

V_GS=0 Volt için çizilen eğride, V_DS arttıkça drain akımının doyum düzeyine kadar arttığı görülmektedir. V_GS=0 için bu doyum akımı I_DSS olarak adlandırılır. Başka bir ifadeyle I_DSS akımı, gate - source eklemi kısa devre olduğunda drain - source arasonda akan akımdır.

Gate source gerilimi V_GS= -1V 'a ayarlandığında V_DS yükseldikçe akım, doyuma ulaşıncaya kadar artar. Fakat bu seviye V_GS = 1V 'dan dolayı kısmen oluşmaya başlayarak boşluk bölgesi, drain-source akımının daha düşük bir düzeyinde tamamıyla oluşur.

Şekil 1.15 (c) de çizilen drain - source karakteristiği çeşitli V_GS değerlerini (0,-1,-2..... volt) kapsayan bir eğriler grubudur. Gate terminaline uygulanan ters polarma, gövde de boşluk bölgesi oluşturur. Bu ters gerilimin negatifliği büyüdükçe kanal direnci artar, gövdeden geçen I_D akımı küçülür. V_GS daha da arttırıldığında, JFET 'ten herhangi bir I_D akımı akmaz, I_D sıfıra iner, I_G sıfır olur ve JFET elemanı tümüyle kapanır.

Şekil 1.6 - p-kanallı JFET Drain-Source Karakteristiği

P-kanallı JFET 'in drain - source karakteristiği Şekil 1.6 'da gösterilmiştir. n-kanallıdan farkı V_GS voltajlarının pozitif olmasıdır. Anlatılanlar p-kanallı JFET için de geçerlidir.