JFET 'e uygulanan voltajların değiştirilmesiyle,
JFET 'in gösterdiği davranışa Parametre denir. Başka bir değişle
JFET karakteristiği veya sabitleridir. Üretici firmalar, elemanı
tanımlamak ve farklı elemanlar arasında seçim yapabilmek için
gerekli olan bilgileri kataloglarda belirtirler.
JFET parametreleri şunlardır:
a) Drain - Source doyma akımı (IDSS):
Gate - Source eklemi kısa devre yapıldığında Drain - Source
arasından akan akımdır.
b) Gate - Source kapama gerilimi (kritik gerilim,
VP): Drain - Source kanalının kapandığı (hiç akım
geçirmediği) gerilim değeri VP ile gösterilir.
VP değerini ölçebilmek için kullanılan devre Şekil
1.10 'da verilmiştir. Bu parametreye VGS-off 'da
denir.
c) Gate - Source kırılma gerilimi (B VGSS):
Bu parametre belirli bir akımda drain - source kısa devre
iken ölçülür. Uygulamada bu değerin üzerine çıkılması halinde
eleman hasar görebilir.
d) Geçiş İletkenliği (gm): JFET 'ler sabit akım
elemanı olduğundan drain voltajındaki değişiklikler drain
akımında çok fazla bir değişiklik yapmaz, Genelde drain akımı
gate voltajı ile kontrol edilir. Bu nedenle JFET 'lerin önemli
parametrelerinden biri, drain akım değişimine göre gate voltaj
değişimidir. Bu parametre geçirgenlik (transconductance -gm)
olarak bilinir.
Geçirgenlik, VD sabit iken drain akım değişiminin,
gate - source arası voltaj değişimine oranıdır.
gm = ΔID / ΔVGS
(VDS = Sabit)
Geçirgenlik, direncin tersi olduğu için birimi
(MHO) veya Siemens 'tir.
gm = (2.IDSS / |VP|) [1-(VGS/VP)]
gm = (2.IDSS / |VP|) √(ID/IDSS)
formülleri ile de JFET 'in geçirgenliği hesaplanabilir.
e) Drain - Source iletim direnci (rds): Bu parametre,
belirli bir gate - source gerilimi ve drain akımından ölçülen
gerilim drain -source iletim direnci, JFET 'in anahtar olarak
kullanılmasında önem taşır. Bu değer, on ila birkaç yüz arasında
değişir.