Yarı iletken diyotları, P ve N tipi germanyum veya Silikon
yarı iletken kristallerinin bazı işlemler uygulanarak bir
araya getirilmesiyle elde edilen diyotlardır. Hem elektrikte
hemde elektronikte kullanılmaktadır. Şekil 3.3 'te tipik bir
örnek olarak kuvvetli akımda kullanılan bir silikon diyot
verilmiştir.
Tablo 3.1 'de metal ve yarı iletken diyotlarına ait bazı değerler
verilmektedir.
Tablo 3.1 - Bazı metal ve yarı iletken diyotlarının karakteristik
değerleri
| DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ |
Birimi |
DİYOT
CİNSİ |
| Selenyum |
Germanyum |
Silikon |
| Ters yöndeki dayanma gerilimi |
V |
40 - 60 |
500 - 800 |
1500 - 4000 |
| Aktif yüzeydeki akım yoğunluğu |
A / cm2 |
0.89 - 0.9 |
100 - 300 |
100 - 300 |
| Maksimum doğru yön akımı |
A |
400 |
200 |
1000 |
| Gerilim düşümü |
V |
0.6 - 1 |
0.6 |
1.2 |
| Maksimum dayanma sıcaklığı |
°C |
80°C |
65°C |
140°C |
| Ters yön akımının doğru yön akımına
oranı |
IR / ID |
0.1 - 0.03 |
0.0002 |
0.00001 |
Diyotlar arasında bir kıyaslama yapabilmek için Şekil 3.4
'te bazılarının karakteristik eğrileri verilmiştir.
Şekil 3.4 - Bazı diyotların karakteristik eğrileri |
