Transistörler

Transistörler

push up krem http://nz.realtruedating.com/ New Zealand dating websites Transistör nedir?

Eklem Transistör yarı iletken malzemeden yapılmış elektronik devre elemanıdır. Her nekadar diyodun yapısına benzesede çalışması ve fonksiyonları diyottan çok farklıdır.
Transistör iki eklemli üç bölgeli bir devre elemanı olup iki ana çeşittir.

– NPN
– PNP

  1. NPN ve PNP Tipi Transistörler
  2. Transistörlerde Yükseltme İşleminin Gerçekleştirilmesi
  3. Transistörün Dört Bölge Karakteristiği
  4. Transistörlerin Anahtarlama Elemanı Olarak Çalıştırılması
  5. Transistörün Yükselteç Olarak Çalıştırılması
  6. Transistörün Çalışma Kararlılığını Etkileyen Faktörler
  7. Transistörün Çalışma Noktasının Stabilize Edilmesi
  8. Transistörlerin Katalog Bilgileri

http://se.realtruedating.com/ gratis dejtingsida Transistör aşağıda belirtildiği gibi değişik şekillerde tanımlanır:

1. Transistörün kolay anlaşılması bakımından tanımı; Transistörün bir sandviçe benzetilmesidir, yarı iletken sandviçi.
2. İkinci bir tanımıda şöyle yapılmaktadır; Transistör, iki elektrodu arasındaki direnci, üçüncü elektroda uygulanan gerilim ile değişen bir devre elemanıdır.
3. Transistörün en çok kullanılan tanımı ise şöyledir; Transistör yan yana birleştirilmiş iki PN diyodundan oluşan bir devre elemanıdır. Birleşme sırasına göre NPN veya PNP tipi transistör oluşur.

norges største datingside Transistörün başlıca çeşitleri şunlardır:

– Yüzey birleşmeli (Jonksiyon) transistör
– Nokta temaslı transistör
– Unijonksiyon transistör
– Alan etkili transistör
– Foto transistör
– Tetrot (dört uçlu) transistör
– Koaksiyal transistör

dating sites in Australia Transistörün kullanım alanları:

Transistör yapısal bakımdan, yükselteç olarak çalışma özelliğine sahip bir devre elemanıdır. Elektroniğin her alanında kullanılmaktadır.

  1. NPN ve PNP transistörlerin yapısal gösterilimi,
  2. Transistör sembolleri

Elektron Lambaları ilk defa 1906’da Dr. Lee de Forest tarafından uygulama sahasına konulmuştur. 1925’te Lilien Field ve 1938’de Hilsch ve Pohl tarafından, lambaların yerine geçecek bir katı amplifikatör elemanı bulma konusunda başarısızlıkla sonuçlanan bazı denemeler yapılmıştır. Çalışmaların amacı, lambalarda olduğu gibi katılarda da elektrostatik alan etkisi ile elektron akışını sağlamaktı. Daha sonraları bu çalışmalar bugünkü transistörlerin temelini teşkil etmiştir.

1931-1940 yılları katı maddeler elektroniği hakkında daha ziyade teorik çalışmalar devri olmuştur. Bu sahada isimleri en çok duyulanlar, L. Brillouin, A. H. Wilson, J. C. Slater, F. Seitz ve W. Schottky’dir.

Yıl 1948, Walter H. Brattain ve John Bardeen kristal redresör yapmak için Bell laboratuvarlarında çalışıyorlar. Esas olarak yapılan; çeşitli kristallere temas eden bir ‘catwhisker’ in tek yönde iletken, diğer yönde büyük bir direnç göstermesi ile ilgili bir çalışmadır. Deneyler sırasında Germanyum kristalinin ters akıma daha çok direnç gösterdiği ve daha iyi bir doğrultma işlemi yaptığı gözlemlendi ve böylece germanyum redresörler ortaya çıktı.

Bir Cevap Yazın

E-posta hesabınız yayımlanmayacak.

İsim *
E-posta *
İnternet sitesi